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半导体分析测试应用与设备联动发展论坛即将举办!共探技术革新,赋能产业升级
为进一步加强国际国内交流合作,展示最新科技成果,促进集成电路产业可持续健康发展,由中国国际光电博览会(简称CIOE中国光博会)与集成电路创新联盟主办爱集微与深圳市中新材会展有限公司共同承办“SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展”将于2025年9月10-12日在深圳国际会展中心(宝安)举行。
记者8月7日从工业和信息化部获悉,日前工业和信息化部、国家发展改革委等七部门联合发布《关于推动脑机接口产业创新发展的实施意见》(下称《意见》),提出到2027年、2030年两步走发展目标,明确五大重点任务,细化17项具体举措,进一步推动脑机接口产业高质量发展,加快培育形成未来产业新赛道。
英诺赛科双向 VGaN™提供高可靠性、高性能和高性价比,可支持新型双向电力电子系统。它取代了传统的背靠背 Si MOSFET,显著降低了功率损耗,提高了开关速度,并缩小了电源系统的尺寸,降低了 BOM 成本。当前,我们正在扩展组件生态系统,通过100V 低边驱动 IC INS1011SD 支持 VGaN™。
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