即使主机使用SD NAND SD模式下的1位模式，主机也应通过上拉电阻上拉所有的DATO-3线Ω。

　　VDD（VCC_3V3）建议单独供电，且需要注意提供SD NAND电流供电能力不小于200mA。

　　3、下图是SD协议规定的上电规范，SD NAND的工作电压范围是2.7V-3.6V：

　　芯片能正常上电初始化，电压要在0.5V以下至少1ms；电源上升的时候需要保持电源是稳定的、持续上升的，上升到正常工作电压的时间是0.1ms-35ms；主机关闭电源时，将卡的VDD降至0.5伏以下的最小周期为1ms。在断电期间，DAT, CMD和CLK应断开连接或由主机驱动到逻辑0，以避免工作电流通过信号线引出的情况。

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　　线，尽可能进行包地处理。对于走线、SD NAND芯片最好靠近主控芯片放置，以减少走线分布,其中同名网络 layout 时可以连接在一起，方便后续更换物料时兼容 LGA6.0×8mm，LGA6.6×8.0mm封装(如下图)。

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　　1、保存要求：若购买散包装，请务必上线小时。若物料没有全部使用，剩余部分请务必存放于氮气柜或抽真空保存，再次上线、贴装顺序：若

　　3、焊接：LGA/BGA的封装基板是PCB材质，Pad位于底部，相比TSOP、WSON等金属框架封装，在焊接上更有难度，有条件的尽可能选择液体锡膏和加热台，没有加热台的可以用风枪，风枪温度不要超过 350℃。

　　解焊:尽可能选择加热台，若必须使用风枪，建议风枪温度控制在 350℃，30秒以内。

　　4、回流焊SD NAND回流焊的最高温度若使用无铅焊锡不能超过 260℃(无铅焊锡),若使用无铅焊锡不能超过 235℃，在此峰值温度下，时间不能超过10s.炉温曲线设置可参考 IPC-JEDEC J-STD-020规定要求: